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SVF5N60F 抗辐射 性能稳定 士兰微MOS管

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最后更新： 2019-02-04 16:42
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    N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动，LED驱动电源感谢您关注我们的产品,若您希望获得进一步的了解，，欢迎您随时联络我们，深圳晶茂欣科技诚邀为您提供最满意的服务! 0755-23092229/13728851601

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